Citations
Propiedades físicas de nanoestructuras de GaSb para aplicaciones en espintrónica
Propiedades físicas de nanoestructuras de GaSb para aplicaciones en espintrónica
Open | Download
Issue
Section
Articles
How to Cite
Propiedades físicas de nanoestructuras de GaSb para aplicaciones en espintrónica. (2019). Revista EIA, 16(31), 89-97. https://doi.org/10.24050/reia.v16i31.1272
Dimensions
license
Copyright statement
The authors exclusively assign to the Universidad EIA, with the power to assign to third parties, all the exploitation rights that derive from the works that are accepted for publication in the Revista EIA, as well as in any product derived from it and, in in particular, those of reproduction, distribution, public communication (including interactive making available) and transformation (including adaptation, modification and, where appropriate, translation), for all types of exploitation (by way of example and not limitation : in paper, electronic, online, computer or audiovisual format, as well as in any other format, even for promotional or advertising purposes and / or for the production of derivative products), for a worldwide territorial scope and for the entire duration of the rights provided for in the current published text of the Intellectual Property Law. This assignment will be made by the authors without the right to any type of remuneration or compensation.
Consequently, the author may not publish or disseminate the works that are selected for publication in the Revista EIA, neither totally nor partially, nor authorize their publication to third parties, without the prior express authorization, requested and granted in writing, from the Univeridad EIA.
En este trabajo se fabricaron películas delgadas nanoestructuradas de GaSb por el método de pulverización catódica asistidas por campo magnético sobre sustratos de vidrio e ITO. Se realizaron procesos de recocido posterior a la preparación y bajo condiciones de alto vacío que evitaran la incorporación de átomos de oxígeno presentes en la atmósfera. A partir de medidas de difracción de rayos X se pudo establecer una estructura tipo blenda de Zinc y fases de InO asociadas al sustrato ITO. Los procesos de recocido permitieron evidenciar una mejora significativa en la cristalinidad del material siendo éste menos amorfo cuando la temperatura de recocido (Tr) fue de 673 K. Un valor de la brecha de energía prohibida variando entre 0.75 y 0.85 eV fue obtenido en muestras de GaSb cuando la Tr cambió entre 300 K y 673 K, respectivamente. Medidas de microscopia electrónica de barrido y fuerza atómica permitieron obtener información de la morfología en la superficie del material.
Article visits 479 | PDF visits 292
Downloads
Download data is not yet available.
- Mosher, D.M.; Soukup, R.J. (1982). The fabrication of both n-type and p-type GaAs thin films deposited by troide sputtering. Thin films, 98(3), pp. 215-228. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/0040-6090(82)90404-7 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Hongwei, Z.; Yiping, Z.; Jianrong, D.; Zhanping, Z.; Liang, P.; Meiying, K. (1998). Growth and transport properties of InAs thin films on GaAs. Journal of Crystal Growth, 191(3). pp. 361-364. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00161-4 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Carroll, J.A.; Spivak, J.F. (1966). Preparation of high mobility InSb thin films. Solid-State Electronics, 9(5), pp. 383-384. [Online] Disponible en: 10.1016/0038-1101(66)90152-3 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Bonilla-Marin, Jose Lauro. (2007). Obtención y caracterización del semiconductor poroso antimonio de galio con impurezas de telurio, tesis (Maestro en Tecnología Avanzada), Santiago de Queretaro, Instituto Politécnico Nacional, 71 pp. Disponible en: http://tesis.ipn.mx/bitstream/handle/123456789/1093/2321_2007_CICATA-QUERETARO_MAESTRIA_bonilla_marin_joselauro.pdf?sequence=1&isAllowed=y [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Kluth, S. M.; Jojannessen, B.; Kluth, P.; Glover, C. J.; Foran, G. J.; Ridway, M. C. (2005). EXAFS comparison of crystalline/continuous and amorphous/porous GaSb. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 238(1-4), pp. 264-267. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.06.060 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Glemza, Justinas; Pralgauskaite, Sandra; Palenskis, Vilius; Matukas, Jonas. (2017). Low frequency noise investigation of 2–3 μm GaSb-based laser diodes. Solid-State Electronics, 133, pp. 70-77. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/j.sse.2017.05.002 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Benyettou, F.; Aissat, A.; Benamar, M.A.; Vilcot, J.P. (2015). Modeling and Simulation of GaSb/GaAs Quantum Dot for Solar Cell. Energy Procedia, 74, pp. 139-147. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2015.07.535 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Ohno, H.; Shen, A.; Matsukura, F.; Oiwa, A.; Endo, A.; Katsumoto, S.; Iye, Y. (1996). (Ga,Mn)As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs. Applied Physics Letters, 69(3), pp. 363-365. [Online] Disponible en: http://dx.doi.org/10.1063/1.118061 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Adhikari, T.; Basu, S. (1996). Carrier-induced ferromagnetic ordering in Ga1−xMnxSb, a new III-Mn-V semimagnetic semiconductor. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 161, pp. 282-286. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/S0304-8853(95)01281-8 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Papaj, M.; Kobak, J.; Rousset, J.G.; Janik, E.; Nawrocki, M.; Kossacki, P.; Golnik, A.; Pacuski, W. (2014). Photoluminescence studies of giant Zeeman effect in MBE-grown cobalt-based dilute magnetic semiconductors. Journal of Crystal Growth, 401, pp. 644-647. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.01.077 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Rout, S.; Popovici, N.; Daluia, S.; Paramês, M.L.; da Silva, R.C.; Silvestre, A.J.; Conde, O. (2013). Phase growth control in low temperature PLD Co: TiO2 films by pressure. Current Applied Physics, 13(4), pp. 670-676. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/j.cap.2012.11.005 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Calderón, Jorge A.; Quiroz, Heiddy P.; Dussan, A. (2017). Optical and structural properties of GaSb doped Mn based diluted magnetic semiconductor thin films grown via DC magnetron sputtering. Advanced Materials Letters, 8(5), pp. 650-655 [Online] Disponible en: 10.5185/amlett.2017.7110 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Pärna, R.; Joost, U.; Nõmmiste, E.; Käämbre, T.; Kikas, A.; Kuusik, I.; Hirsimäki, M.; Kink, I.; Kisand, V. (2011). Effect of cobalt doping and annealing on properties of titania thin films prepared by sol–gel process. Applied Surface Science, 257, pp. 6897–6907. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.03.026 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Calderón, Jorge A.; Mesa, F.; Dussan A. (2017). Magnetoelectric and transport properties of (GaMn)Sb thin films: A ferrimagnetic phase in dilute alloys. Applied Surface Science, 396, pp. 1113-1118. [Online] Disponible en: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.11.096 [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Quiroz, Heiddy P. (2014). Preparación y Estudio de las Propiedades Estructurales, Ópticas y Morfológicas de Nanotubos de TiO2 para su Aplicación en Sensores Ópticos Tesis (Maestría en Ciencias - Física) Bogotá, Universidad Nacional de Colombia, 103 pp. Disponible en: http://www.bdigital.unal.edu.co/47304/1/1072655319.2014.pdf [Consultado 26 de septiembre de 2017].
- Wasa, K.; Kitabatake, M.; Adachi, H. (2004). Thin Film Materials Technology Sputtering of Compound Materials, Springer, pp. 33.
