Skip to main navigation menu Skip to main content Skip to site footer

POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES

POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES



Open | Download


Section
Articles

How to Cite
POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES. (2016). Revista EIA, 12(2), 85-94. https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.966

Dimensions
PlumX
Citations
license
Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Copyright statement

The authors exclusively assign to the Universidad EIA, with the power to assign to third parties, all the exploitation rights that derive from the works that are accepted for publication in the Revista EIA, as well as in any product derived from it and, in in particular, those of reproduction, distribution, public communication (including interactive making available) and transformation (including adaptation, modification and, where appropriate, translation), for all types of exploitation (by way of example and not limitation : in paper, electronic, online, computer or audiovisual format, as well as in any other format, even for promotional or advertising purposes and / or for the production of derivative products), for a worldwide territorial scope and for the entire duration of the rights provided for in the current published text of the Intellectual Property Law. This assignment will be made by the authors without the right to any type of remuneration or compensation.

Consequently, the author may not publish or disseminate the works that are selected for publication in the Revista EIA, neither totally nor partially, nor authorize their publication to third parties, without the prior express authorization, requested and granted in writing, from the Univeridad EIA.

Valentina Martínez Rendón
Carolina Castaño Uribe
Andrea Giraldo Martínez
Juan Pablo González Pereira
Ricardo León Restrepo Arango

Álvaro Luis Morales Aramburo,

Grupo de Materia Condensada-U. de A., Instituto de Física, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia- U. de A., Medellín, Colombia

Carlos Alberto Duque Echeverri,

Grupo de Materia Condensada-U. de A., Instituto de Física, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia- U. de A., Medellín, Colombia

Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.

Article visits 455 | PDF visits 395


Downloads

Download data is not yet available.